沼津高専 電子制御工学科 | |||||||
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改訂記録 | |||||||
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版数 | 作成日 | 作成者 | 承認 | 改訂内容 | 提出先 | ||
A01 | 1999.12.16 | アズハン | 小澤 | 初版 |
主旨 |
赤外線センサの種類 |
指向特性 |
赤外線センサと送信機(詳細) |
赤外線センサ信号処理回路 |
システム主要構成部品のひとつである赤外線センサについてその基本性能及び特性を調査、理解し、MIRSにおける利用方法を検討する。
量子型
フォトンを吸収しキャリアを励起することによって直接赤外線を検出するセンサである。このセンサは後に述べる熱型センサより100〜1000倍の検出能力を持つが、動作温度が低いため通常は液体窒素などで冷却の必要があるため、MIRSでの利用は望めない。
熱型
エネルギー吸収による温度変化を利用するもの。素子としては、熱電対サーミスタ・ボロメータ、焦電型素子などがある。特に焦電型素子は比較的感度が高く、構造が簡単なのでよく用いられる。
※3) 受光面照度を示す。
図1 送信機 |
図2 光学系 |
X方向特性 |
Y方向特性 |
X方向特性 |
項 目 | 記号 | 定格 | 単位 |
直流順電流 | IF | 100 | mA |
直流順電流低減率(Ta>25℃) | ΔIF/℃ | -1.33 | mA/℃ |
パルス順電流 | IFP(注) | 1 | A |
直流逆電圧 | VR | 5 | V |
許容損失 | PD | 150 | mW |
動作温度 | Topr | -20〜75 | ℃ |
保存温度 | Tstg | -30〜100 | ℃ |
外形 |
項目 | 記号 | 測定条件 | 最小 | 標準 | 最大 | 単位 |
順電圧 | VF | IF=100mA | --- | 1.35 | 1.5 | V |
逆電圧 | IR | VR=5V | --- | --- | 10 | μA |
放射強度 | IE | IF=50mA | 12 | 20 | --- | mW/sr |
光出力 | PO | IF=50mA | --- | 11 | --- | mW |
端子間容量 | CT | VR=0,f=1MHz | --- | 20 | --- | pF |
ピーク発光波長 | λP | IF=50mA | --- | 950 | --- | nm |
スペクトル半値幅 | Δλ | IF=50mA | --- | 50 | --- | nm |
半値角 | θ1/2 | IF=50mA | --- | ±23.5 | --- | ° |
波長特性(標準値)(IF=50mA,Ta=25℃) |
定格及び特性
構成図 |
項目 | 記号 | 定格値 | 単位 |
電源電圧 | Vcc | 0〜6.0 | V |
動作温度 | Topr | -10〜+60 ※1 | ℃ |
保存温度 | Tstg | -20〜+70 | ℃ |
保存温度 | Tsol | 260 ※2 | ℃ |
項目 | 記号 | 動作条件 | 単位 |
電源電圧 | Vcc | 4.7〜5.3 | V |
項目 | 記号 | MIN | TYP | MAX | 単位 | 備考 |
消費電流 | Icc | --- | 2.8 | 4.5 | mA | 入力光なし、出力端子OPEN |
ハイレベル出力電圧 | VOH | Vcc-0.2 | --- | --- | V | ※2,出力端子OPEN |
ローレベル出力電圧 | VOL | --- | 0.45 | 0.6 | V | ※2,プルアップ抵抗kΩ |
ハイレベルパルス幅 | T1 | 400 | --- | 800 | μS | ※2 |
ローレベルパルス幅 | T2 | 400 | --- | 800 | μS | ※2 |
B.P.F.中心周波数 | f0 | --- | 38 | --- | kHz |
バースト波 |
回路構成 |
・割り込み信号部は、赤外線センサー受光部からの信号に変化が生じたときに割り込み信号を出すと思う。信号自体は、一発パルスではなく他の波形になると思われる。