沼津高専 電子制御工学科
フラッシュメモリの調査
MIRS0103-TECH-0013
改訂記録
版数 作成日 作成者 承認 改訂内容
A01 2002.02.07 渡辺 中村 初版

目次

  1. フラッシュディスクとは
  2. 特徴
  3. 書き換え制限について
  4. その他
  5. MIRSで使用するフラッシュメモリの仕様

1.フラッシュディスクとは


フラッシュメモリを使用したディスク装置で、アプリケーションからは、通常のディスク装置と同一の手段でアクセスができる。
DOM(Disk On Module)シリーズ/IFDシリーズは、形状も電気特性もIDEハードディスクと互換性のあるフラッシュメモリディスクである。  


2.特徴


これらの特徴はMIRSにおいて極めて有効である。そのため記憶装置として使用する。


3.書き換え回数制限について


PQI社製フラッシュディスクDisk On Module (DOM) 及び IDE Flash Disk (IFD)は、記憶素子にFlash-ROMを搭載した半導体ディスクです。 Flash-ROMには、消去/書き込みサイクルに回数制限があり、メーカーやモデルによって異なりますが、およそ1万回〜100万回となっています。

DOM及びIFDに内蔵されているFlash-ROMの消去/書き込みサイクルは、となっていますが、コントローラICによって、この処理がFlash-ROMに対して平均化されるようになっているため、実際には更に多くの書き換えが可能となっています。

およその書き換え可能回数は、次の計算式によって求めることができます。

MIRSで使用するフラッシュメモリの総ブロック数は以下の通り。
型番容量総ブロック数
FD064-026B64M4096

例えば、既に50MBのプログラムが書き込まれており((64MB-50MB)/64MB = 0.21875)、平均で18KB(18000Bytes / 512 = 35.156、端数繰り上げで 36セクタ )が書き換えられるとした場合、次のようになります。

    ( 4096 × 0.21875 × 1,000,000 ) / 36 = 24,888,888回

4.その他



5.MIRSで使用するフラッシュメモリの仕様


概観図

仕様
名称FD064-026B
容量64MB
コネクタ形状40ピンIDEコネクタ
外形寸法28.8mmx55.2mmx8mm
必要電源+5V,GND
製造元PQI
アクセス時間<1ms
待機read時間<1μs
待機wright時間<1μs
消費電力65mA(max)
動作温度0℃〜70℃

参考文献
・MIRS0005のフラッシュメモリ技術調査書