| VDSS | : | ドレイン・ソース間電圧 ゲートが短絡されている状態において、ドレイン・ソース間に印加できる最大電圧。 |
| VGSS | : | ゲート・ソース間電圧 ドレインが短絡されている状態において、ドレイン・ソース間に印加できる最大電圧。 |
| VGS(OFF) | : | ゲート・ソース間遮断電圧 VGSを0から負の方向に大きくしていくとIDは徐々に小さくなっていくが、ID＝0になるときのVGSを言う。 |
| PD/PCH | : | ドレイン損失定格/チャネル損失定格 トランジスタのコレクタ損失に相当し、25度における最大電力損失を表している。特にPDとPCHを区別する必要はない。 |
| IGSS | : | ゲート遮断電圧 ドレインとソースを短絡し、ゲート・ソース間に逆電圧を印加したときに流れるリーク電流。 |
| IDSS | : | ゼロバイアス・ドレイン電流 ゲート・ソース間を短絡したときのドレイン電流。 |
| gm | : | 相互コンダクタンス ゲート･ソース間電圧(入力電圧)VGSの変化に対するドレイン電流(出力電流)IDの変化のことを指し、 gm＝ΔID/ΔVGS で定義される。 |
| Cis | : | ソース接地入力容量 この入力容量の測定条件はまちまちで、特に接合型の場合、入力容量はPN接合の逆バイアス容量になるから、バイアス条件によって値は大きくもなり、小さくもなる。一般的にはゼロ・バイアス、すなわちCissが最大になる点で測定することが多い。 |
| Crs | : | ソース接地帰還容量 帰還容量Crssは、ゲート・ドレイン間容量に相当する。 |
| NF | : | 雑音指数 この指数は、信号源抵抗から発生する雑音と、FETから発生する雑音の比である。 |
| RG | : | 信号源抵抗 |
| RDS(ON) | : | ドレイン・ソース間オン抵抗 FETをスイッチング動作させるときに重要になってくるパラメータで、FETがONしているときのドレイン・ソース間抵抗を言う。 |
| LF | : | 低周波、オーディオ帯用 |
| A | : | 増幅用 |
| typ | : | 標準 |
補足